创达新材：拟投资1.1亿元建设半导体先进封装材料生产线

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　　4月23日，创达新材发布公告，为增强公司市场竞争优势，支撑核心产业良性发展，公司拟与无锡国家高新技术产业开发区管理委员会签署《工业用地投资发展监管协议》：公司拟购买厂区东侧新地块，用于年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线建设项目（以政府部门核定的名称为准）。

　　本次项目计划投资金额约1.1亿元，资金来源为公司自有或者自筹资金。2026年4月23日，公司召开第四届董事会第十四次会议，审议通过了《关于拟对外投资暨签订<工业用地投资发展监管协议> 的议案》，同意9票，反对0票，弃权0票，该议案无需提交公司股东会审议。

　　本项目拟在公司东侧购买临近工业用地1997.8平方米配资入门推荐，建设半导体先进封装材料生产线。项目达产后，将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。项目建设期1.5年。

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